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    VBL16R41SFD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:600V 电流:41A TO-

    沟道耐压电流VBL16R41SFD

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    梦韩电子
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    VBL16R41SFD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:600V 电流:41A TO-
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    元霸芯城
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    文扬三
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    VBL16R41SFD 场效应管 1个N沟道 耐压:600V 电流:41A TO-
    VBL16R41SFD VBsemi(微碧半导体) TO-263 场效应管 现货

    半导体VBL16R41SFD现货效应

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    深圳市晶宙半导体
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    VBL16R41SFD TO-263 N 600V 41A 场效应管晶体管

    晶体管VBL16R41SFD效应600V

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    燮宏微电子 只做原装
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    VBL16R41SFD TO-263 N 600V 41A 场效应管晶体管
    VBL16R41SFD TO-263(D2PAK) 场效应管 晶体管 分立器件

    晶体管分立VBL16R41SFD器件

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    燮宏微电子 晶体管营业部
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    VBL16R41SFD TO-263(D2PAK) 场效应管 晶体管 分立器件
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    芯起航三
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