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    HXY3012GD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2

    沟道耐压电流HXY3012GD

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    HXY3012GD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2
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    梦韩电子
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    HXY3012GD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2
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    HXY3012GD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2
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    文扬三
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    HXY3012GD 场效应管 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2
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    HXY3012GD HXY302DF HXY304DF
    HXY3012GD 《 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 》

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    添添元器件
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    HXY3012GD 《 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 》
    HXY3012GD TO-252-4L N+P 30V 20A 场效应管晶体管

    晶体管HXY3012GD效应252

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    燮宏微电子 只做原装
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    HXY3012GD TO-252-4L N+P 30V 20A 场效应管晶体管
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    燮宏微电子 场效应管营业部
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    HXY3012GD TO-252-4L N+P 30V 20A 场效应管晶体管
    HXY3012GD TO-252-4L MOSFET 场效应管 分立半导体

    分立半导体HXY3012GD效应

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    深圳市阿尔法科技有限公司
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    HXY3012GD TO-252-4L MOSFET 场效应管 分立半导体
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    深圳市阿尔法科技有限公司
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    HXY3012GD TO-252-4L 场效应管 晶体管 分立器件
    HXY3012GD HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-4L 场效应管 现货

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    深圳市晶宙半导体
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    HXY3012GD HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-4L 场效应管 现货
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    芯引力电子
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