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    HSD60N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:60A TO-252

    沟道耐压电流效应

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    元霸芯城
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    HSD60N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:60A TO-252
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    沟道耐压电流效应

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    梦韩电子
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    沟道耐压电流效应

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    芯起航三
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    芯利来
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    文扬三
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    HSD60N10 HUAKE(华科) TO-252 场效应管 现货

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    深圳市晶宙半导体
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    燮宏微电子 只做原装
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    燮宏微电子 场效应管营业部
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    燮宏微电子 场效应管营业部
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    HSD60N10 TO-252 N 100V 60A 场效应管晶体管
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    燮宏微电子 场效应管营业部
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    HSD60N10 TO-252 N 100V 60A 场效应管晶体管
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