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    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管

    效应AGM314MD25230V

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    燮宏微电子 场效应管营业部
    燮宏微电子 场效应管营业部

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    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管
    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管晶体管

    晶体管效应AGM314MD252

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    燮宏微电子 只做原装
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    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管晶体管
    AGM314MD TO-252-4 30V 30A 20A 10mΩ N+P沟道 MOS场效应管 原装

    沟道原装效应AGM314MD

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    深名科电子MOS一级代理
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    AGM314MD TO-252-4 30V 30A 20A 10mΩ N+P沟道 MOS场效应管 原装
    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20

    沟道耐压电流效应

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    晨芯电子科技
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    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20
    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管晶体管

    晶体管效应AGM314MD252

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    燮宏微电子 场效应管营业部
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    AGM314MD TO-252-4 N+P 30V 30A;20A 场效应管晶体管
    AGM314MD TO-252-4 场效应管(MOSFET)

    效应AGM314MDMOSFET252

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    佳旭芯捷电子
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    AGM314MD TO-252-4 场效应管(MOSFET)
    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20

    沟道耐压电流效应

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    皓芯微二
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    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20
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    沟道耐压电流效应

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    元霸芯城
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    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20
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    沟道耐压电流效应

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    梦韩电子
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    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20
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    沟道耐压电流效应

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    芯起航三
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    AGM314MD 场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20
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